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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › DSS4160DS-7
DSS4160DS-7

DSS4160DS-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DSS4160DS-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS 2NPN 60V 1A SOT26
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DSS4160DS-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
175779 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1476/pcs
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DSS4160DS-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DSS4160DS-7
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V
Potenza - Max 700mW
Frequenza - Transizione 220MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-26
Peso -
Paese d'origine -

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