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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › DSS4160FDB-7
DSS4160FDB-7

DSS4160FDB-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DSS4160FDB-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
TRANS NPH U-DFN2020-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DSS4160FDB-7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
114302 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2344/pcs
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DSS4160FDB-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DSS4160FDB-7
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 50mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 405mW
Frequenza - Transizione 175MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B)
Peso -
Paese d'origine -

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