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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › DSS4160DS-7
DSS4160DS-7

DSS4160DS-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DSS4160DS-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN 60V 1A SOT26
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DSS4160DS-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
171815 pcs
Referenzpreis
USD 0.1476/pcs
Unser Preis
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DSS4160DS-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DSS4160DS-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V
Leistung max 700mW
Frequenz - Übergang 220MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-26
Gewicht -
Ursprungsland -

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