DMP2002UPS-13 - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMP2002UPS-13
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	585nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12826pF @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerDI5060-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMP2002UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8	Dettagli
DMP2003UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8	Dettagli
DMP2004DMK	DIODES	DMP2004DMK DIODES SOT163 New Original Stocks	Dettagli
DMP2004DMK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26	Dettagli
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