DMP2002UPS-13 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMP2002UPS-13
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	585nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12826pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerDI5060-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMP2002UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8	Détails
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