DMP2002UPS-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP2002UPS-13
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	585nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12826pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerDI5060-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP2002UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
DMP2003UPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8	Einzelheiten
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