| Numero di parte | DMNH6008SCTQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2596pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | 20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T | Dettagli |
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DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | Dettagli |
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DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | Dettagli |
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DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI | Dettagli |
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DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | Dettagli |
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DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 15A TO252 | Dettagli |
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DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3 | Dettagli |
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DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB | Dettagli |
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DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | Dettagli |
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DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | Dettagli |
