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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › DMNH6008SCTQ
DMNH6008SCTQ

DMNH6008SCTQ - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMNH6008SCTQ
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DMNH6008SCTQ Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
55 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.04/pcs
Il nostro prezzo
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DMNH6008SCTQ Descrizione dettagliata

Numero di parte DMNH6008SCTQ
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2596pF @ 30V
Vgs (massimo) 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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