DMNH6008SCTQ - Diodes Incorporated

номер части	DMNH6008SCTQ
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	130A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	21nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2596pF @ 30V
Vgs (Макс.)	20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	210W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMNH10H028SCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T	подробности
DMNH10H028SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 55A TO252	подробности
DMNH10H028SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 55A TO252	подробности
DMNH10H028SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI	подробности
DMNH10H028SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506	подробности
DMNH3010LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 15A TO252	подробности
DMNH4005SCT	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3	подробности
DMNH4005SCTQ	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB	подробности
DMNH4005SPSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506	подробности
DMNH4006SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 40V 18A TO252	подробности