| Numero di parte | DMNH4005SPSQ-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2847pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | 20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI5060-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3 | Dettagli |
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DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB | Dettagli |
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DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | Dettagli |
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DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | Dettagli |
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DMNH4006SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 20A TO252 | Dettagli |
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DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 110A POWERDI | Dettagli |
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DMNH4011SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | Dettagli |
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DMNH4011SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | Dettagli |
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DMNH4011SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 13A POWERDI | Dettagli |
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DMNH4011SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI | Dettagli |
