| Numero di parte | DMN6070SY-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 588pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89-3 |
| Pacchetto / caso | TO-243AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN600V | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
|
DMN600V-7 | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
 |
DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Dettagli |
|
DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Dettagli |
|
DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Dettagli |
|
DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Dettagli |
|
DMN6017SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | Dettagli |
 |
DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 | Dettagli |
|
DMN601DMK | DIODES | DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks | Dettagli |
 |
DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | Dettagli |
