| Número de pieza | DMN6070SY-13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.1A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 588pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-89-3 |
| Paquete / caja | TO-243AA |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN600V | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Detalles |
|
DMN600V-7 | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Detalles |
 |
DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Detalles |
|
DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Detalles |
|
DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Detalles |
|
DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Detalles |
|
DMN6017SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | Detalles |
 |
DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 | Detalles |
|
DMN601DMK | DIODES | DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks | Detalles |
 |
DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | Detalles |
