DMN6013LFG-7

DMN6013LFG-7 - Diodes Incorporated

Numero di parte
DMN6013LFG-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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5000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.3102/pcs
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DMN6013LFG-7 Descrizione dettagliata

Numero di parte DMN6013LFG-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2577pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Peso -
Paese d'origine -

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