| Numero di parte | DMN601K-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMN-8600DO | LSILOGIC | DMN-8600DO LSILOGIC BGA New Original Stocks | Dettagli |
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DMN-8602BO | LSI | DMN-8602BO LSI BGA New Original Stocks | Dettagli |
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DMN-8652B0 | LSI | DMN-8652B0 LSI BGA New Original Stocks | Dettagli |
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DMN100 | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
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DMN100-7 | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
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DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | Dettagli |
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DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 | Dettagli |
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DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 | Dettagli |
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DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | Dettagli |
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DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | Dettagli |
