| Numero di parte | DMN10H099SFG-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1172pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 980mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3.3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DMN100 | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
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DMN100-7 | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Dettagli |
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DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | Dettagli |
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DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 | Dettagli |
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DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 | Dettagli |
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DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | Dettagli |
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DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6 | Dettagli |
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DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | Dettagli |
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DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333 | Dettagli |
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DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 | Dettagli |
