| Numero di parte | FCP1913H104G-E2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Capacità | 0.1µF |
| Tolleranza | ±2% |
| Tensione nominale - AC | - |
| Tensione nominale - DC | 50V |
| Materiale dielettrico | Polyphenylene Sulfide (PPS) |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 1913 (4833 Metric) |
| Dimensione / Dimensione | 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) |
| Altezza - Seduto (max) | 0.083" (2.10mm) |
| fine | Solder Pads |
| Lead Spacing | - |
| applicazioni | High Frequency, Switching |
| Caratteristiche | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dettagli |
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FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Dettagli |
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FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Dettagli |
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FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Dettagli |
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FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | Dettagli |
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FCP190N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | Dettagli |
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FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I | Dettagli |
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FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Dettagli |
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FCP1913H104G-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Dettagli |
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FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913 | Dettagli |
