| Artikelnummer | FCP1913H104G-E2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Kapazität | 0.1µF |
| Toleranz | ±2% |
| Nennspannung - AC | - |
| Nennspannung - DC | 50V |
| Dielektrisches Material | Polyphenylene Sulfide (PPS) |
| ESR (Ersatzserienwiderstand) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 1913 (4833 Metric) |
| Größe / Dimension | 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | 0.083" (2.10mm) |
| Beendigung | Solder Pads |
| Abstand zwischen den Elektroden | - |
| Anwendungen | High Frequency, Switching |
| Eigenschaften | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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FCP190N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Einzelheiten |
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FCP190N60-GF102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Einzelheiten |
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FCP190N60E | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Einzelheiten |
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FCP190N60_GF102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | Einzelheiten |
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FCP190N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | Einzelheiten |
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FCP190N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 | Einzelheiten |
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FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I | Einzelheiten |
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FCP1913H104G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Einzelheiten |
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FCP1913H104G-E2 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913 | Einzelheiten |
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FCP1913H104G-E3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913 | Einzelheiten |
