| Numero di parte | FCP190N65F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3225pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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FCP104N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 37A TO-220 | Dettagli |
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FCP104N60F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220 | Dettagli |
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FCP110N65F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 35A TO220 | Dettagli |
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FCP11N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Dettagli |
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FCP11N60F | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 | Dettagli |
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FCP11N60N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220 | Dettagli |
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FCP11N60N-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F | Dettagli |
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FCP11N60N_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI | Dettagli |
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FCP1206C123G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206 | Dettagli |
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FCP1206C123G-H1 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206 | Dettagli |
