CMUDM8001 TR - Central Semiconductor Corp

Numero di parte	CMUDM8001 TR
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.66nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 3V
Vgs (massimo)	10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-523
Pacchetto / caso	SOT-523
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
CMUD2836	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Dettagli
CMUD2838	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Dettagli
CMUD2838 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT523	Dettagli
CMUD4448	CENTRAL	ULTRAmini. HIGH SPEED SWITCHING DIODE	Dettagli
CMUD4448 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT523	Dettagli
CMUD6263AE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Dettagli
CMUD6263CE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Dettagli
CMUD6263E	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Dettagli
CMUD6263SE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Dettagli
CMUD7000	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL SERIES HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Dettagli