CMUDM8001 TR - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CMUDM8001 TR
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.66nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 3V
Vgs (Max)	10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-523
Paquet / cas	SOT-523
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CMUD2836	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Détails
CMUD2838	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Détails
CMUD2838 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT523	Détails
CMUD4448	CENTRAL	ULTRAmini. HIGH SPEED SWITCHING DIODE	Détails
CMUD4448 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT523	Détails
CMUD6263AE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Détails
CMUD6263CE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Détails
CMUD6263E	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Détails
CMUD6263SE	CENTRAL	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini SILICON SCHOTTKY DIODES	Détails
CMUD7000	CENTRAL	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL SERIES HIGH SPEED SWITCHING SILICON DIODE	Détails