CMUDM8001 TR - Central Semiconductor Corp

Número de pieza	CMUDM8001 TR
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.66nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	45pF @ 3V
Vgs (Max)	10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 10mA, 4V
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-523
Paquete / caja	SOT-523
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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