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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › BDT60B-S
BDT60B-S

BDT60B-S - Bourns Inc.

Numero di parte
BDT60B-S
fabbricante
Bourns Inc.
Breve descrizione
TRANS PNP DARL 100V 4A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BDT60B-S Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
BDT60B-S.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4409 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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BDT60B-S Descrizione dettagliata

Numero di parte BDT60B-S
Stato parte Obsolete
Transistor Type PNP - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 1.5A
Corrente - Limite del collettore (max) 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Potenza - Max 2W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Peso -
Paese d'origine -

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