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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple › BDT60B-S
BDT60B-S

BDT60B-S - Bourns Inc.

Número de pieza
BDT60B-S
Fabricante
Bourns Inc.
Breve descripción
TRANS PNP DARL 100V 4A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
BDT60B-S Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
BDT60B-S.pdf
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4382 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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BDT60B-S Descripción detallada

Número de pieza BDT60B-S
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 100V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 1.5A
Corriente - corte de colector (máximo) 500µA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Potencia - Max 2W
Frecuencia - Transición -
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220
Peso -
País de origen -

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