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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › BDT60B-S
BDT60B-S

BDT60B-S - Bourns Inc.

Artikelnummer
BDT60B-S
Hersteller
Bourns Inc.
Kurze Beschreibung
TRANS PNP DARL 100V 4A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BDT60B-S PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BDT60B-S.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3635 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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BDT60B-S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BDT60B-S
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ PNP - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 1.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220
Gewicht -
Ursprungsland -

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