TN2640LG-G - Microchip Technology

Numero di parte	TN2640LG-G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	260mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TN2640K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK	Dettagli
TN2640LG-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC	Dettagli
TN2640N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3	Dettagli