TN2640LG-G - Microchip Technology

Número de pieza	TN2640LG-G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	400V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	260mA (Tj)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TN2640K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK	Detalles
TN2640LG-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC	Detalles
TN2640N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3	Detalles