TN2640LG-G - Microchip Technology

Numéro d'article	TN2640LG-G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	260mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TN2640K4-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK	Détails
TN2640LG-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC	Détails
TN2640N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3	Détails