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Casa › Produttori › Toshiba Semiconductor and Storage
toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.
Dispositivi di protezione da sovratensioni, sovracorrenti, sovratemperature
Relè
Dispositivi a semiconduttore discreti
Sensori, Trasduttori
Circuiti integrati (CI)
RF/IF e RFID
Isolatori
Immagine Numero di parte Descrizione vista
CUHS10F60,H3F CUHS10F60,H3F SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI Dettagli
CUS10I40A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM DIODE SCHOTTKY 40V 1A US-FLAT Dettagli
CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I30A(TE85L,QM DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT Dettagli
CMH02A(TE12L,Q,M) CMH02A(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 400V 3A M-FLAT Dettagli
CMH01(TE12L,Q,M) CMH01(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 200V 3A M-FLAT Dettagli
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14(TE85L,Q,M) DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT Dettagli
CRH02(TE85L,Q,M) CRH02(TE85L,Q,M) DIODE GEN PURP 200V 500MA S-FLAT Dettagli
CUS15I30A(TE85L,QM CUS15I30A(TE85L,QM DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US-FLAT Dettagli
CRG05(TE85L,Q,M) CRG05(TE85L,Q,M) DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT Dettagli
CRG09(TE85L,Q,M) CRG09(TE85L,Q,M) DIODE GEN PURP 400V 1A S-FLAT Dettagli
CMH08(TE12L,Q,M) CMH08(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT Dettagli
CMS30I30A(TE12L,QM CMS30I30A(TE12L,QM DIODE SCHOTTKY 30V 3A M-FLAT Dettagli
CMC02(TE12L,Q,M) CMC02(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT Dettagli
CUS04(TE85L,Q,M) CUS04(TE85L,Q,M) DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT Dettagli
CRG07(TE85L,Q,M) CRG07(TE85L,Q,M) DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT Dettagli
CMG03(TE12L,Q,M) CMG03(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 600V 2A M-FLAT Dettagli
CUS05(TE85L,Q,M) CUS05(TE85L,Q,M) DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT Dettagli
CMH05(TE12L,Q,M) CMH05(TE12L,Q,M) DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT Dettagli
CUS03(TE85L,Q,M) CUS03(TE85L,Q,M) DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT Dettagli
CUS06(TE85L,Q,M) CUS06(TE85L,Q,M) DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT Dettagli
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