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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › CUHS10F60,H3F
CUHS10F60,H3F

CUHS10F60,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
CUHS10F60,H3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
CUHS10F60,H3F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2110902 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.078/pcs
Il nostro prezzo
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CUHS10F60,H3F Descrizione dettagliata

Numero di parte CUHS10F60,H3F
Stato parte Active
Tipo diodo Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 40µA @ 60V
Capacità @ Vr, F 130pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 2-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore US2H
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)
Peso -
Paese d'origine -

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Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
CUHS10F60,H3F CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI Dettagli