VS-GT400TH120U - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GT400TH120U
État de la pièce	Obsolete
Type d'IGBT	Trench
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	750A
Puissance - Max	2344W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 400A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	51.2nF @ 30V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Double INT-A-PAK (3 + 8)
Package de périphérique fournisseur	Double INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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