VS-GBPC2510A - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GBPC2510A
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	25A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	2mA @ 1000V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	QC Terminal
Paquet / cas	4-Square, GBPC-A
Package de périphérique fournisseur	GBPC-A
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GA100NA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 100A 250W SOT-227	Détails
VS-GA100TS120UPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK	Détails
VS-GA100TS60SF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W	Détails
VS-GA100TS60SFPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK	Détails
VS-GA200HS60S1	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W	Détails
VS-GA200HS60S1PBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK	Détails
VS-GA200SA60SP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	Détails
VS-GA200SA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 200A 500W SOT-227	Détails
VS-GA200TH60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK	Détails
VS-GA250SA60S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 400A SOT227	Détails