VS-GB200TS60NPBF - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	VS-GB200TS60NPBF
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	209A
Puissance - Max	781W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.84V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	200µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	-
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	INT-A-PAK (3 + 4)
Package de périphérique fournisseur	INT-A-PAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
VS-GB200LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK	Détails
VS-GB200NH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK	Détails
VS-GB200TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK	Détails
VS-GB200TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK	Détails
VS-GB200TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK	Détails