| 品番 | VS-GB200TS60NPBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 構成 | Half Bridge |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 209A |
| 電力 - 最大 | 781W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.84V @ 15V, 200A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 200µA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | - |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | INT-A-PAK (3 + 4) |
| サプライヤデバイスパッケージ | INT-A-PAK |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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VS-GB200LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK | 詳細 |
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VS-GB200NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK | 詳細 |
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VS-GB200TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK | 詳細 |
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VS-GB200TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK | 詳細 |
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VS-GB200TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK | 詳細 |
