SIS698DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SIS698DN-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 50V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	19.8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Paquet / cas	PowerPAK® 1212-8
Poids	-
Pays d'origine	-