SIS698DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SIS698DN-T1-GE3
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 50V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	19.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-