SIS698DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIS698DN-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SIS698DN-T1-GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 516145 pcs
Precio de referencia: USD 0.319/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SIS698DN-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	19.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / caja	PowerPAK® 1212-8
Peso	-
País de origen	-