SIA778DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Numéro d'article	SIA778DJ-T1-GE3
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	12V, 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 6V
Puissance - Max	6.5W, 5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package de périphérique fournisseur	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	SIA777EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L	Détails
	SIA778DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6	Détails