SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Artikelnummer
SIA778DJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
117158 pcs
Referenzpreis
USD 0.2302/pcs
Unser Preis
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SIA778DJ-T1-GE3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SIA778DJ-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V, 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.5A, 1.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 6V
Leistung max 6.5W, 5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht -
Ursprungsland -

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