SIA778DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIA778DJ-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
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Precio de referencia: USD 0.2302/pcs
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Número de pieza	SIA778DJ-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V, 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.5A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 6V
Potencia - Max	6.5W, 5W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIA777EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L	Detalles
	SIA778DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6	Detalles