SI7980DP-T1-E3 Description détaillée
Numéro d'article |
SI7980DP-T1-E3 |
État de la pièce |
Obsolete |
FET Type |
2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Caractéristique |
Standard |
Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
22 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
27nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1010pF @ 10V |
Puissance - Max |
19.8W, 21.9W |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Package de périphérique fournisseur |
PowerPAK® SO-8 Dual |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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