SI7980DP-T1-GE3 Description détaillée
| Numéro d'article |
SI7980DP-T1-GE3 |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique |
Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
22 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
27nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1010pF @ 10V |
| Puissance - Max |
19.8W, 21.9W |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Package de périphérique fournisseur |
PowerPAK® SO-8 Dual |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR SI7980DP-T1-GE3
