| 品番 | SI7980DP-T1-E3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 22 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 27nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1010pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 19.8W, 21.9W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SI7980DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 | 詳細 |
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SI7980DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8 | 詳細 |
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SI7983DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8 | 詳細 |
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SI7983DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8 | 詳細 |
