SI4511DY-T1-E3 Description détaillée
| Numéro d'article |
SI4511DY-T1-E3 |
| État de la pièce |
Obsolete |
| FET Type |
N and P-Channel |
| FET Caractéristique |
Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
7.2A, 4.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.8V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Puissance - Max |
1.1W |
| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur |
8-SO |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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