SI4511DY-T1-E3 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
SI4511DY-T1-E3 |
| Teilstatus |
Obsolete |
| FET Typ |
N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
7.2A, 4.6A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
18nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
| Leistung max |
1.1W |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket |
8-SO |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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