ES3B-E3/57T - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	ES3B-E3/57T
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io)	3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	900mV @ 3A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F	45pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AB, SMC
Package de périphérique fournisseur	DO-214AB, (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ES3B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Détails
ES3B M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Détails
ES3B R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Détails
ES3B V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Détails
ES3B V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Détails
ES3B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Détails
ES3B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Détails
ES3B-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Détails
ES3B-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Détails
ES3B-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Détails