| Artikelnummer | ES3B-E3/57T |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 30ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB, (SMC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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ES3B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | Einzelheiten |
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ES3B M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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ES3B R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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ES3B V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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ES3B V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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ES3B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | Einzelheiten |
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ES3B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | Einzelheiten |
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ES3B-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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ES3B-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
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ES3B-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | Einzelheiten |
