ES3B-E3/57T - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza	ES3B-E3/57T
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corriente - promedio rectificado (Io)	3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	900mV @ 3A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F	45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AB, (SMC)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
ES3B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Detalles
ES3B M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
ES3B R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
ES3B V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
ES3B V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
ES3B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Detalles
ES3B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Detalles
ES3B-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
ES3B-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
ES3B-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles