ES2A-M3/5BT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	ES2A-M3/5BT
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	50V
Courant - Rectifié moyen (Io)	2A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	900mV @ 2A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F	18pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AA, SMB
Package de périphérique fournisseur	DO-214AA (SMB)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
ES2A	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA	Détails
ES2A M4G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA	Détails
ES2A R5G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA	Détails
ES2A-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 2A SMB	Détails
ES2A-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 2A SMB	Détails
ES2A-E3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA	Détails
ES2A-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA	Détails
ES2A-LTP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC	Détails
ES2A-M3/52T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA	Détails
ES2A-M3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA	Détails