| Artikelnummer | ES2A-M3/5BT |
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| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 2A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 30ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AA (SMB) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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ES2A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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ES2A M4G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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ES2A R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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ES2A-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB | Einzelheiten |
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ES2A-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 2A SMB | Einzelheiten |
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ES2A-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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ES2A-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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ES2A-LTP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC | Einzelheiten |
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ES2A-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Einzelheiten |
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ES2A-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | Einzelheiten |
