Numéro d'article | TPH3212PS |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 400uA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 400V |
Vgs (Max) | ±18V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 104W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 17A, 8V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | TO-220 |
Paquet / cas | TO-220-3 |
Poids | - |
Pays d'origine | - |