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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TPH3212PS
TPH3212PS

TPH3212PS - Transphorm

Artikelnummer
TPH3212PS
Hersteller
Transphorm
Kurze Beschreibung
GAN FET 650V 27A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPH3212PS PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
935 pcs
Referenzpreis
USD 16.7/pcs
Unser Preis
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TPH3212PS detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPH3212PS
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 400uA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 400V
Vgs (Max) ±18V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 104W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 17A, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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